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16. (问答题) 简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。(本题20.0分)

答案是:

标准答案：
1、形成N阱  2、形成P阱 3、推阱  4、形成场隔离区  5、形成多晶硅栅   6、形成硅化物    7、
形成N管源漏区    8、形成P管源漏区   9、形成接触孔  10、形成第一层金属   11、形成第一层金属 12、形成穿通接触孔  13、形成第二层金属   14、合金     15、形成钝化层     16、测试、封装,完成集成电路的制造工艺
出自  青书学堂  >  黑龙江科技大学-电路分析基础（专升本）

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00

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